IXTH440N055T2 - IXYS

Artikelnummer	IXTH440N055T2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	440A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	405nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	25000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1000W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247 (IXTH)
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTH40N30	IXYS	MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD	Einzelheiten
IXTH40N50L2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 40A TO-247	Einzelheiten
IXTH41N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A	Einzelheiten
IXTH420N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 420A TO-247	Einzelheiten
IXTH440N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 440A TO-247	Einzelheiten
IXTH44N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 44A TO-247	Einzelheiten
IXTH44P15T	IXYS	MOSFET P-CH 150V 44A TO-247	Einzelheiten
IXTH450P2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 16A TO247	Einzelheiten
IXTH460P2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 24A TO-247	Einzelheiten
IXTH48N15	IXYS	MOSFET N-CH 150V 48A TO-247	Einzelheiten