IXTH2N300P3HV - IXYS

Artikelnummer	IXTH2N300P3HV
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	3000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1890pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	520W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247HV
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTH200N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-247	Einzelheiten
IXTH200N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-247	Einzelheiten
IXTH200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A TO-247	Einzelheiten
IXTH20N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 20A TO-247	Einzelheiten
IXTH20N60	IXYS	MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD	Einzelheiten
IXTH20N65X	IXYS	MOSFET N-CH 650V 20A TO-247	Einzelheiten
IXTH20P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 20A TO-247	Einzelheiten
IXTH21N50	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A TO-247	Einzelheiten
IXTH21N50Q	IXYS	MOSFET N-CH TO-247	Einzelheiten
IXTH220N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-247	Einzelheiten