| Artikelnummer | IXTH140N075L2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9300pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 540W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
.jpg "IXTH102N15T") |
IXTH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH10N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH10N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH10P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD | Einzelheiten |
|
IXTH10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD | Einzelheiten |
|
IXTH110N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 | Einzelheiten |
|
IXTH110N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 | Einzelheiten |
