IXTD5N100A - IXYS

Artikelnummer	IXTD5N100A
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Die
Paket / Fall	Die
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTD1R4N60P 11	IXYS	MOSFET N-CH 600V	Einzelheiten
IXTD2N60P-1J	IXYS	MOSFET N-CH 600	Einzelheiten
IXTD3N50P-2J	IXYS	MOSFET N-CH 500	Einzelheiten
IXTD3N60P-2J	IXYS	MOSFET N-CH 600	Einzelheiten
IXTD4N80P-3J	IXYS	MOSFET N-CH 800	Einzelheiten
IXTD5N100A	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 5A DIE	Einzelheiten