IXTC200N10T

IXTC200N10T - IXYS

Artikelnummer
IXTC200N10T
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4307 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXTC200N10T detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTC200N10T
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 101A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 160W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™
Paket / Fall ISOPLUS220™
Gewicht -
Ursprungsland -

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