IXTB62N50L - IXYS

Artikelnummer	IXTB62N50L
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	62A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	550nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	800W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 31A, 20V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PLUS264™
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	IXTB30N100L	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264	Einzelheiten
	IXTB62N50L	IXYS	MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264	Einzelheiten