IXTA380N036T4-7 - IXYS

Artikelnummer	IXTA380N036T4-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	36V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	380A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13400pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	480W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263-7
Paket / Fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTA300N04T2	IXYS	MOSFET N-CH 40V 300A TO-263	Einzelheiten
IXTA300N04T2-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 300A TO-263	Einzelheiten
IXTA32N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 32A TO-263	Einzelheiten
IXTA32P05T	IXYS	MOSFET P-CH 50V 32A TO-263	Einzelheiten
IXTA32P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 32A TO-263	Einzelheiten
IXTA340N04T4	IXYS	MOSFET N-CH 40V 340A	Einzelheiten
IXTA340N04T4-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 340A	Einzelheiten
IXTA34N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXTA36N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 36A TO-263	Einzelheiten
IXTA36N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 36A TO-263	Einzelheiten