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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXSK35N120BD1
IXSK35N120BD1

IXSK35N120BD1 - IXYS

Artikelnummer
IXSK35N120BD1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 70A 300W TO264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXSK35N120BD1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3760 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXSK35N120BD1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXSK35N120BD1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 140A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A
Leistung max 300W
Energie wechseln 5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 36ns/160ns
Testbedingung 960V, 35A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 40ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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