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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXSH30N60BD1
IXSH30N60BD1

IXSH30N60BD1 - IXYS

Artikelnummer
IXSH30N60BD1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 55A 200W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXSH30N60BD1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4362 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXSH30N60BD1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXSH30N60BD1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 55A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 110A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 55A
Leistung max 200W
Energie wechseln 1.5mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 30ns/150ns
Testbedingung 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXSH)
Gewicht -
Ursprungsland -

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