IXKC23N60C5 - IXYS

Artikelnummer	IXKC23N60C5
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Super Junction
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS220™
Paket / Fall	ISOPLUS220™
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXKC13N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220	Einzelheiten
IXKC15N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220	Einzelheiten
IXKC19N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220	Einzelheiten
IXKC20N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220	Einzelheiten
IXKC23N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220	Einzelheiten
IXKC25N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220	Einzelheiten
IXKC40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220	Einzelheiten