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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXGT30N60C2D1
IXGT30N60C2D1

IXGT30N60C2D1 - IXYS

Artikelnummer
IXGT30N60C2D1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 70A 190W TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGT30N60C2D1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4427 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXGT30N60C2D1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGT30N60C2D1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 24A
Leistung max 190W
Energie wechseln 190µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 13ns/70ns
Testbedingung 400V, 24A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Lieferantengerätepaket TO-268
Gewicht -
Ursprungsland -

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