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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXGT20N120BD1
IXGT20N120BD1

IXGT20N120BD1 - IXYS

Artikelnummer
IXGT20N120BD1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 40A 190W TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGT20N120BD1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3399 pcs
Referenzpreis
USD 7.84/pcs
Unser Preis
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IXGT20N120BD1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGT20N120BD1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 100A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
Leistung max 190W
Energie wechseln 2.1mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 72nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/150ns
Testbedingung 960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 40ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Lieferantengerätepaket TO-268
Gewicht -
Ursprungsland -

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