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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › IXGN50N60BD3
IXGN50N60BD3

IXGN50N60BD3 - IXYS

Artikelnummer
IXGN50N60BD3
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 600V FRD SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGN50N60BD3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXGN50N60BD3.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1069 pcs
Referenzpreis
USD 25.155/pcs
Unser Preis
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IXGN50N60BD3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGN50N60BD3
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Gewicht -
Ursprungsland -

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