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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXGH32N60BU1
IXGH32N60BU1

IXGH32N60BU1 - IXYS

Artikelnummer
IXGH32N60BU1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXGH32N60BU1 PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3586 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXGH32N60BU1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXGH32N60BU1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 32A
Leistung max 200W
Energie wechseln 600µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/100ns
Testbedingung 480V, 32A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH)
Gewicht -
Ursprungsland -

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