IXFX34N80 - IXYS

Artikelnummer	IXFX34N80
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	560W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 17A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PLUS247™-3
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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