IXFV96N20P

IXFV96N20P - IXYS

Artikelnummer
IXFV96N20P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 96A PLUS 220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3950 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXFV96N20P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFV96N20P
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 96A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 600W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS220
Paket / Fall TO-220-3, Short Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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