IXFR80N50Q3 - IXYS

Artikelnummer	IXFR80N50Q3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10000pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	570W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 40A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS247™
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFR100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR10N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR120N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR12N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR12N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR12N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR13N50	IXYS	MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR140N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247	Einzelheiten
IXFR140N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247	Einzelheiten