IXFQ140N20X3 - IXYS

Artikelnummer	IXFQ140N20X3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	140A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	9.6 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	127nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7660pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFQ10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Einzelheiten
IXFQ120N25X3	IXYS	MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P	Einzelheiten
IXFQ12N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P	Einzelheiten
IXFQ140N20X3	IXYS	200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Einzelheiten
IXFQ14N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P	Einzelheiten
IXFQ20N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P	Einzelheiten
IXFQ21N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P	Einzelheiten
IXFQ22N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 22A TO3P	Einzelheiten
IXFQ23N60Q	IXYS	MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)	Einzelheiten
IXFQ24N50P2	IXYS	500V POLAR2 HIPERFETS	Einzelheiten