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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IXFN82N60P
IXFN82N60P

IXFN82N60P - IXYS

Artikelnummer
IXFN82N60P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXFN82N60P PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXFN82N60P.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
672 pcs
Referenzpreis
USD 30.49/pcs
Unser Preis
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IXFN82N60P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFN82N60P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 72A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1040W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 41A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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