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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IXFN56N90P
IXFN56N90P

IXFN56N90P - IXYS

Artikelnummer
IXFN56N90P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXFN56N90P PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXFN56N90P.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
225 pcs
Referenzpreis
USD 39.27/pcs
Unser Preis
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IXFN56N90P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFN56N90P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 56A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 375nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1000W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 28A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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