IXFN55N50F detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IXFN55N50F |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
55A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5.5V @ 8mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
195nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
6700pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
600W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
85 mOhm @ 27.5A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Chassis Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-227B |
Paket / Fall |
SOT-227-4, miniBLOC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IXFN55N50F