IXFN52N100X - IXYS

Artikelnummer	IXFN52N100X
Teilstatus	Active
FET Typ	-
Technologie	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Lieferantengerätepaket	-
Paket / Fall	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	Einzelheiten
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	Einzelheiten
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	Einzelheiten