IXFN30N120P

IXFN30N120P - IXYS

Artikelnummer
IXFN30N120P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
586 pcs
Referenzpreis
USD 46.212/pcs
Unser Preis
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IXFN30N120P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFN30N120P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 890W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht -
Ursprungsland -

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