IXFL82N60P

IXFL82N60P - IXYS

Artikelnummer
IXFL82N60P
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1252 pcs
Referenzpreis
USD 21.2432/pcs
Unser Preis
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IXFL82N60P detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFL82N60P
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 625W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 41A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS264™
Paket / Fall ISOPLUS264™
Gewicht -
Ursprungsland -

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