IXFH20N60

IXFH20N60 - IXYS

Artikelnummer
IXFH20N60
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXFH20N60 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4486 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IXFH20N60

IXFH20N60 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFH20N60
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IXFH20N60