IXFE44N50QD3 - IXYS

Artikelnummer	IXFE44N50QD3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	39A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	400W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 22A, 10V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-227B
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFE180N10	IXYS	MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE180N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE23N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE24N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE34N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE36N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE39N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227	Einzelheiten
IXFE44N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B	Einzelheiten
IXFE44N50QD2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B	Einzelheiten
IXFE44N50QD3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B	Einzelheiten