IXFD23N60Q-72 - IXYS

Artikelnummer	IXFD23N60Q-72
Teilstatus	Last Time Buy
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	-
Lieferantengerätepaket	Die
Paket / Fall	Die
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFD23N60Q-72	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFD24N50Q-72	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFD26N50Q-72	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFD26N60Q-8XQ	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFD28N50Q-72	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten