IXFA3N80

IXFA3N80 - IXYS

Artikelnummer
IXFA3N80
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4109 pcs
Referenzpreis
USD 6.517/pcs
Unser Preis
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IXFA3N80 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFA3N80
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 685pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXFA)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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