GWM100-0085X1-SMD SAM - IXYS

Artikelnummer	GWM100-0085X1-SMD SAM
Teilstatus	Active
FET Typ	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	85V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	103A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	17-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS-DIL™
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GWM100-0085X1-SMD	IXYS	MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS	Einzelheiten
GWM100-0085X1-SMD SAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS	Einzelheiten
GWM100-01X1-SL	IXYS	MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS	Einzelheiten
GWM100-01X1-SLSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS	Einzelheiten
GWM100-01X1-SMD	IXYS	MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS	Einzelheiten
GWM100-01X1-SMDSAM	IXYS	MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS	Einzelheiten