IS61WV51216EEBLL-10T2LI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS61WV51216EEBLL-10T2LI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Asynchronous
Speichergröße	8Mb (512K x 16)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	10ns
Zugriffszeit	10ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	48-TSOP I
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS61WV51216BLL-10MLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	Einzelheiten
IS61WV51216BLL-10MLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	Einzelheiten
IS61WV51216BLL-10TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	Einzelheiten
IS61WV51216BLL-10TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	Einzelheiten
IS61WV51216EDALL-20BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA	Einzelheiten
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA	Einzelheiten
IS61WV51216EDALL-20TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP	Einzelheiten
IS61WV51216EDALL-20TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP	Einzelheiten
IS61WV51216EDBLL-10BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48BGA	Einzelheiten
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48BGA	Einzelheiten