IS61NVP102418-200B3 - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS61NVP102418-200B3
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Synchronous
Speichergröße	18Mb (1M x 18)
Taktfrequenz	200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	3.1ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	165-TBGA
Lieferantengerätepaket	165-TFBGA (13x15)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS61NVP102418-200B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-200B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-200B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-200B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP	Einzelheiten
IS61NVP102418-200TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP	Einzelheiten
IS61NVP102418-250B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-250B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-250B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NVP102418-250B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten