IS61NLP25636B-200B3LI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS61NLP25636B-200B3LI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Synchronous
Speichergröße	9Mb (256K x 36)
Taktfrequenz	200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	3.1ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	165-TBGA
Lieferantengerätepaket	165-TFBGA (13x15)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS61NLP102418-200B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NLP102418-200B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NLP102418-200B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NLP102418-200B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	Einzelheiten
IS61NLP102418-200B3LI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	Einzelheiten
IS61NLP102418-200B3LI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA	Einzelheiten
IS61NLP102418-200TQ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	Einzelheiten
IS61NLP102418-200TQ-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	Einzelheiten
IS61NLP102418-200TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	Einzelheiten
IS61NLP102418-200TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP	Einzelheiten