IS49RL36160-107EBLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS49RL36160-107EBLI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	DRAM
Speichergröße	576Mb (16M x 36)
Taktfrequenz	933MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	8ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.28 V ~ 1.42 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	168-LBGA
Lieferantengerätepaket	168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS49RL36160-093BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 1066MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-093BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 1066MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-093EBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 1066MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-093EBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 1066MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-107BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 933MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-107BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 933MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-107EBL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 933MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-107EBLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 933MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-125BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 800MHZ 168BGA	Einzelheiten
IS49RL36160-125BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 576MBIT 800MHZ 168BGA	Einzelheiten