IS43LD16640C-18BLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer	IS43LD16640C-18BLI-TR
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße	1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz	533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	134-TFBGA
Lieferantengerätepaket	134-TFBGA (10x11.5)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IS43LD16128B-18BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-18BL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-18BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-18BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-25BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-25BL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten
IS43LD16128B-25BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten
IS43LD16320A-25BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten
IS43LD16320A-25BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ	Einzelheiten