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IS43DR16320E-3DBLI-TR

IS43DR16320E-3DBLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Artikelnummer
IS43DR16320E-3DBLI-TR
Hersteller
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IS43DR16320E-3DBLI-TR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
42342 pcs
Referenzpreis
USD 4.32338/pcs
Unser Preis
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IS43DR16320E-3DBLI-TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IS43DR16320E-3DBLI-TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz 333MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 450ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket 84-TWBGA (8x12.5)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
IS43DR16128A-3DBL IS43DR16128A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA Einzelheiten
IS43DR16128A-3DBL-TR IS43DR16128A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA Einzelheiten
IS43DR16128A-3DBLI IS43DR16128A-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA Einzelheiten
IS43DR16128A-3DBLI-TR IS43DR16128A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA Einzelheiten
IS43DR16128B-25EBL IS43DR16128B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA Einzelheiten
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