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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › 70V658S12BCI8
70V658S12BCI8

70V658S12BCI8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

Artikelnummer
70V658S12BCI8
Hersteller
IDT, Integrated Device Technology Inc
Kurze Beschreibung
IC SRAM 2MBIT 12NS 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
70V658S12BCI8 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
70V658S12BCI8.pdf
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
281 pcs
Referenzpreis
USD 93.6576/pcs
Unser Preis
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70V658S12BCI8 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 70V658S12BCI8
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße 2Mb (64K x 36)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3.15 V ~ 3.45 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Lieferantengerätepaket 256-CABGA (17x17)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
70V657S10BC 70V657S10BC IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256CABGA Einzelheiten
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70V657S10BFG 70V657S10BFG IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA Einzelheiten
70V657S10BFG8 70V657S10BFG8 IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208CABGA Einzelheiten
70V657S10DR 70V657S10DR IDT, Integrated Device Technology Inc IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP Einzelheiten
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