70T653MS10BC8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

Artikelnummer	70T653MS10BC8
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße	18Mb (512K x 36)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	10ns
Zugriffszeit	10ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	256-LBGA
Lieferantengerätepaket	256-CABGA (17x17)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
70T651S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70T651S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70T651S10BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70T651S10BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70T651S10BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70T651S10BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70T651S10BFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA	Einzelheiten
70T651S10BFGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70T651S10BFGI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA	Einzelheiten
70T651S10BFI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten