70T633S10BCI - IDT, Integrated Device Technology Inc

Artikelnummer	70T633S10BCI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße	9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	10ns
Zugriffszeit	10ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	256-LBGA
Lieferantengerätepaket	256-CABGA (17x17)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
70T631S10BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70T631S10BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA	Einzelheiten
70T631S10BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70T631S10BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA	Einzelheiten
70T631S12BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 256CABGA	Einzelheiten
70T631S12BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 256CABGA	Einzelheiten
70T631S12BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208CABGA	Einzelheiten
70T631S12BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208CABGA	Einzelheiten
70T631S15BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208CABGA	Einzelheiten
70T631S15BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208CABGA	Einzelheiten