70T3519S200BC - IDT, Integrated Device Technology Inc

Artikelnummer	70T3519S200BC
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße	9Mb (256K x 36)
Taktfrequenz	200MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	3.4ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	256-LBGA
Lieferantengerätepaket	256-CABGA (17x17)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
70T3509MS133BP	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3509MS133BPG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3509MS133BPGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3509MS133BPI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3519S133BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3519S133BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3519S133BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3519S133BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256CABGA	Einzelheiten
70T3519S133BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208CABGA	Einzelheiten
70T3519S133BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208CABGA	Einzelheiten