7006L15JG8 - IDT, Integrated Device Technology Inc

Artikelnummer	7006L15JG8
Teilstatus	Preliminary
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße	128Kb (16K x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	15ns
Zugriffszeit	15ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	68-LCC (J-Lead)
Lieferantengerätepaket	68-PLCC (24.21x24.21)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
7006	Keystone Electronics	POST BINDING ECON NYLON-INS RED	Einzelheiten
70060A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Einzelheiten
70060F	ORIGINAL	70060F ORIGINAL SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
70061A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Einzelheiten
70062A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Einzelheiten
70068FB	ON	70068FB ON SOP24 New Original Stocks	Einzelheiten
7006L15J	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC	Einzelheiten
7006L15J8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC	Einzelheiten
7006L15JG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC	Einzelheiten
7006L15JG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC	Einzelheiten