SPW21N50C3

SPW21N50C3 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPW21N50C3
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6012 pcs
Referenzpreis
USD 4.37/pcs
Unser Preis
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SPW21N50C3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPW21N50C3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 560V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 208W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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