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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SPP80N06S08NK
SPP80N06S08NK

SPP80N06S08NK - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPP80N06S08NK
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SPP80N06S08NK PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
17080 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SPP80N06S08NK detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPP80N06S08NK
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 187nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3660pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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