| Artikelnummer | SPP07N60C3XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP07N60C3 | ORIGINAL | SPP07N60C3 ORIGINAL TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SPP07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220AB | Einzelheiten |
|
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Einzelheiten |
|
SPP07N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 | Einzelheiten |
|
SPP07N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Einzelheiten |
 |
SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Einzelheiten |
|
SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Einzelheiten |
|
SPP07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | Einzelheiten |
|
SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Einzelheiten |
