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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SPI80N06S2-07
SPI80N06S2-07

SPI80N06S2-07 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPI80N06S2-07
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SPI80N06S2-07 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
SPI80N06S2-07.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4032 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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SPI80N06S2-07 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPI80N06S2-07
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 180µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4540pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 68A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3-1
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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