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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SPD30N03S2L-10
SPD30N03S2L-10

SPD30N03S2L-10 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPD30N03S2L-10
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SPD30N03S2L-10 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
SPD30N03S2L-10.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4098 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern SPD30N03S2L-10

SPD30N03S2L-10 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPD30N03S2L-10
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 41.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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