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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SPD04N50C3
SPD04N50C3

SPD04N50C3 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPD04N50C3
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SPD04N50C3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
SPD04N50C3.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
44641 pcs
Referenzpreis
USD 0.6089/pcs
Unser Preis
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SPD04N50C3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPD04N50C3
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 560V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 50W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 2.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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