| Artikelnummer | SPB80N03S2L-06 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB800-BCP1 | H&D Wireless AB | RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT | Einzelheiten |
 |
SPB80N03L | infineon | SPB80N03L infineon TO263 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2L-04 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
|
SPB80N03S2L-05 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Einzelheiten |
