SPA21N50C3XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	SPA21N50C3XKSA1
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	560V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	34.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SPA2118Z	SIRENZA	SPA2118Z SIRENZA SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SPA21N50C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP	Einzelheiten
SPA21N50C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP	Einzelheiten