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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SPA11N60C3IN
SPA11N60C3IN

SPA11N60C3IN - Infineon Technologies

Artikelnummer
SPA11N60C3IN
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SPA11N60C3IN PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
43570 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SPA11N60C3IN detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SPA11N60C3IN
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-31 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Gewicht -
Ursprungsland -

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