SN7002NH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	SN7002NH6327XTSA1
Teilstatus	Discontinued at Digi-Key
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 26µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	360mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-SOT23-3
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SN7002	INFINEON	SN7002 INFINEON SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
SN7002E6327	INFINEON	SN7002E6327 INFINEON SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
SN7002N	INF	SN7002N INF SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
SN7002N E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23	Einzelheiten
SN7002N E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23	Einzelheiten
SN7002N L6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23	Einzelheiten
SN7002NE6327	INFINEON	SN7002NE6327 INFINEON SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
SN7002NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23	Einzelheiten
SN7002NH6327XTSA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23	Einzelheiten
SN7002NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23	Einzelheiten